PDTD113ET,215 دیتاشیت

PDTD113ET,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PDTD113ET,215
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت PDTD113ET,215-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PDTD113ET,215
  • Input Resistor: 1kΩ
  • Resistor Ratio: 1
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre Biased
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 33@50mA,5V
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 1.4V@20mA,500mA
  • Output Voltage (VO(on)@Io/Ii): -
  • Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce): 1.1V@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V@50mA,2.5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه